非挥发性内存可靠性试验(NVRAM)
- 详细描述
- 案例分享
- 应用范围
- 设备规格
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- 商品名称: 非挥发性内存可靠性试验(NVRAM)
重复擦写测试(Cycling Endurance Test)：分别于高温和常温下对非挥发性内存组件进行固定次数的Erase/Program，目的为测试该组件重复擦写的耐久能力。
数据储存能力测试(Data Retention Test)： 将数据储存于非挥发性内存组件后，分别进行高温加速烘烤，高温常温读取组件内数据和，目的为测试该组件的数据储存能力。
测试条件
失效模式
重复擦写测试(Cycling Endurance Test)
无法达到该非挥发性内存组件规格书定义的擦/写次数。
无法于该非挥发性内存组件规格书定义的擦/写次数内进行擦除或写入动作。
数据储存能力测试(Data Retention Test)
无法达到该非挥发性内存组件规格书定义的数据储存时间。
因电荷流失、电容性耦合失效等等原因造成数据储存错误。
服务优势
可协助客户编辑Flash 测试Pattern，另可提供编辑HTOL/ELFR 测试Pattern。
参考规范
JESD 47 / JESD22-A117 / JESD22-A103 / JESD22-A108 / AEC-Q Series
适用领域
车用、消费性、商用、工业用
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