双束聚焦离子束（Dual Beam FIB）
- 详细描述
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- 应用范围
- 设备规格
- TEM样品制备手法
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- 商品名称: 双束聚焦离子束（Dual Beam FIB）
通常简称为 FIB-SEM，是一种将 聚焦离子束 和 扫描电子显微镜 集成在同一个设备中的先进仪器。
聚焦离子束
卓越的FIB性能，采用高斯镓离子源,纳米级加工和超薄切片（<5nm）能力，非常适合半导体、先进器件等最精密的制样和切割。
扫描电子束
超高分辨率SEM成像，Helios 5UX配备的是赛默飞最先进的Elite型电子镜筒，能够提供极高的空间分辨率（在最佳条件下可达0.6nm@1kV，0.9nm@500V），可以清晰地观察纳米级别的表面形貌和结构细节。
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横截面分析
Helios 5UX能够清晰地观察纳米颗粒、晶体结构、原子级的缺陷等. 提供非常稳定、低噪点的图像，特别适合进行长期、重复性的观察和测量。
EDS分析
Helios 5 UX的高分辨率SEM成像能力确保了EDS分析的定位极其精确
芯片失效分析
Helios 5 UX的离子束系统性能卓越，能够实现极其精密的切割又称“纳米雕刻”
铜晶粒分析
Helios 5 UX离子束成像清晰，离子束对研磨后的铜表面进行照射，可以让铜晶粒边界更加明显。
TEM样品制备
Helios 5 UX实现了低电压、低束流的离子束进行最终抛光，能有效去除前期加工引入的表面非晶损伤层，获得原子级平整的洁净薄区。
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半导体组件失效分析
半导体生产线制程异常分析
薄膜结构分析
穿透式电子显微镜试片制作
截面成分分析
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影像
Point Resolution: 0.1nm
STEM Resolution: 0.16nmEDS
Detector：4 SDD
Solid angle：0.9其他功能
Piezo stage+DCFI
4K×4K CCD
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横截面样品(Cross-sectional)
定点失效分析推进找异常时，发现异常可直接做TEM样品制备，进行TEM分析。
平面样品(Plan-view)
平面样品与截面样品相辅相成，分别解决了材料表征中不同维度的问题。能直观准确地找到该平面中异常区域，并定位。
平面样品转横截面样品(Plan-view- Cross-sectional)
根据平面精准定位做截面分析，平面异常展现转为截面异常展现，不同维度来立体程现异常。
倒切
在特殊样品中标准截面制备产生的水帘效应影响到目标区的观测，则选用倒切方式制样。
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