透射电子显微镜（TEM）

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  • TEM模式对应观测内容
    • 商品名称: 透射电子显微镜（TEM）

    赛默飞Talos F200E 200KV场发射S/TEM透射电子显微镜​​，搭载高速Super-X能谱系统，可实现原子级形貌观测与微区元素分析，是一个功能强大、高度集成的分析型TEM平台，旨在为材料科学、纳米技术和半导体研究提供​​高分辨率成像和综合成分分析​​。

  • 高解析TEM影像分析

    Talos F200E在最佳条件下，TEM信息极限≤0.12nm​​，线分辨率≤0.1nm​​，STEM分辨率≤0.16nm，可实现原子级形貌观测。

     

    S/TEM影像分析

    透射电子显微镜亮场影像

    通过高能电子束穿透样品，经电子光学透镜聚焦成像，从而实现对样品内部微观结构的观察。

    STEM亮场影像

    使用环形探测器，收集穿过样品的直射电子和低角度弹性散射电子，同时过滤掉高角度散射电子，与 HAADF形成互补。

    STEM暗场影像

    收集高角度散射电子生成图像，能直观呈现原子序数差异，实现单原子级别的观察。

     

    FinFET 分析

    TEM image
     

     

    EDS mapping

    STEM HAADF image

    C map

    Al map 

     Cl map

    Hf map

    W map

    Ge map

    Ti map

     N map

    O map

    Si map

    elements all map

     

    EDS line-scan

    Talos F200E 中TEM/EDS分析的终极目标结构与成分完美对应，真正的“所见即所得”。

     

    高解析TEM/EDS分析

    TALOS F200E 中TEM/EDS分析的终极目标结构与成分完美对应，真正的“所见即所得”。

     

    3D V-NAND Flash分析

    3D NAND的核心特征是通过堆叠数十甚至上百层器件单元形成的高深宽比结构。制备出的TEM样品通常是一个包含整个堆叠层的“横截面”，其上下层之间的厚度差异显著。

     

    LED磊晶结构分析

    LED外延结构(如GaN基蓝光LED、Micro-LED等)对界面质量、材料纯度、缺陷密度和化学成分起伏极为敏感，而F200E正是解决这些问题的利器。

  • 显微结构分析(晶格影像)

    结晶缺陷晶格缺陷(Dislocation)分析

    元素成分分析

    薄膜应力分析

    电子绕射图分析

    杂质及污染源分析

  • 影像

    		 TEM information limit ≤0.12 nm
    TEM line resolution ≤0.1nm
    ​​STEM resolution ≤0.16nm

    EDS

    Detector：4 SDD
    Solid angle：0.9

    其他功能

    Piezo stage+DCFI
    4K×4K CCD

  • HRTEM模式：原子分辨率​​，直观显示晶格，原子排列、晶体结构

    STEM（HAADF）：Z-衬度​​，易解释，适合联用EDS/EELS，原子序数对比、三维结构

    明/暗场像：对晶体缺陷敏感，位错、晶界、沉淀相

    NBED：纳米尺度衍射，微小区域的晶体结构

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